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元器件采购网 > S-1340页 > FET - 单STB12NM50T4

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STB12NM50T4

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB STMicroelectronics 5474 电话:0755-83217923
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STB12NM50T4参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
包装数量:1
包装形式:剪切带 (CT)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):550V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1000pF @ 25V
功率 - 最大值:160W
安装类型:表面贴装

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