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STB12NM50T4 |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | STMicroelectronics | 5474 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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STB12NM50T4参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：550V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 50µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 25V 功率 - 最大值：160W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接口 - 模拟开关MAX4680EAE T Card EdgeGBC30DRTS-S734 逻辑 - 栅极和逆SN74AS32DRE4 圆形DJT14E23-53PN FET - 单STF18N55M5 接口 - 驱动器，MAX240CMH D 热 - 热电，PeAA-024-12-22-00-00 电流CR4220-5 RF 其它 IC ATR2732N3-PBPW PMIC - 监控BU4828G-TR |
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